Компания Samsung приступила к выпуску чипов размером 10 нм

18.10.2016

Компания Samsung опередила своего основного конкурента Intel. Корейский гигант объявил о начале производства микросхем с использованием 10-нанометрового технического процесса.

Напомним, что более 50 лет назад Гордон Мур сформулировал закон, который до недавнего времени строго выполнялся. Ученый заявил, что ежегодно количество транзисторов, применяемых на интегральных схемах, будет увеличиваться в 2 раза. Однако несколько недель назад этот закон был нарушен. Ученые представили чип, имеющий транзистор размерностью в 1 нм, когда как до него самым компактным были элементы на 5 нм.

Компания Samsung представила микросхему на 10 нм. Она ляжет в основу будущего процессора Snapdragon 820 марки Qualcomm. Многие эксперты не сомневаются, что будущие мобильные устройства компании Samsung получат именно такую микросхему.

Отметим, что компания Intel сегодня производит микропроцессоры, построенные на базе 14-нанометровых чипов. Более того, значительная часть микросхем создается на основе 20-нанометрового технологического процесса. Что касается России, то в нашей стране самым компактным является транзистор размерностью на 40 нм.

Компания Intel некоторое время назад объявила о скором отказе от использования кремния при производстве чипов. Также она заявила, что намеревается наладить производство 10-нанометровых транзисторов уже в этом году. Однако впоследствии Intel пересмотрела свои планы. В то же время компания Samsung собирается со следующего года приступить к выпуску 7-нанометровых чипов.